[发明专利]基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件

摘要

本发明公开了基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件，属于光电材料领域。所述吸收器自下而上依次由衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层组成，所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成。通过引入ITO(氧化铟锡)透明材料实现光能量的有效入射和进入半导体材料以及运用ITO材料膜层本身的高电导特性，实现良好电导特性与良好光吸收特性的半导体光电器件。这种基于半导体结构的吸收器具有结构简单、近红外波段吸收和宽波段吸收的特点。此外结构中采用的半导体材料便于拓展此类吸收器在光电检测、光电转换、光生电子和热电子产生与收集以及电磁能量吸收等领域的应用开发。

主权项

一种基于ITO‑金属‑半导体结构的近红外光吸收器件，它包括衬底、金属膜层、半导体结构层和ITO膜层，所述半导体结构层由半导体颗粒阵列和半导体膜层组成；所述金属膜层、半导体结构层形成具有近红外光完美吸收特性的结构，通过调节半导体结构的几何参数和单元晶格的周期，调控光吸收特性。