[发明专利]三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种三维集成电路的碳化硅微流道散热结构及其制作方法，主要解决现有技术微流道壁材料热导率低和液体与微流道壁接触面积小的问题。其包括上层芯片(1)和下层芯片(2)，每层芯片自上而下包括电路层(3)、硅衬底(4)、硅流道壁(5)、碳化硅流道壁(6)、微流道(7)和硅微流道帽(8)，其中，电路层位于芯片正面的顶部，硅衬底紧邻电路层并位于其下方；硅流道壁紧邻硅衬底并位于其下方；碳化硅流道壁其外延生长在硅流道壁的下方；微流道其横截面采用上部为半椭圆形下部为矩形的一体结构，位于硅流道壁的下方；本发明增加了电路层附近的散热接触面积，缩短了与电路层的距离，提升了微流道散热结构的散热性能。

主权项

1.一种三维集成电路的碳化硅微流道散热结构，包括上层芯片(1)和下层芯片(2)，每层芯片包括电路层(3)、硅衬底(4)、流道壁、微流道(7)和硅流道帽(8)，其特征在于：所述流道壁，其包括硅流道壁(5)和碳化硅流道壁(6)，且碳化硅流道壁外延生长在硅流道壁的下方；所述微流道，其横截面采用上部为半椭圆形下部为矩形的一体结构，位于硅流道壁(5)的下方，且上部的半椭圆形与硅流道壁(5)相邻，下部的矩形与碳化硅流道壁(6)相邻。