[发明专利]基于离子线谱三峰结构反演强扰动电离层参量的方法有效

专利信息
申请号: 201710599755.1 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN107255802B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 李海英;孔鹏飞;徐彬;吴振森;白璐;曹运华 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G01S7/41 分类号: G01S7/41
代理公司: 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 代理人: 赵永伟
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种基于带有零频峰的三峰结构异常非相干散射离子线谱反演强扰动电离层参量,该方法包括以下步骤:通过非相干散射雷达观测数据,提取电离层加热实验引起的强扰动区域具有零频峰三峰结构的异常非相干散射离子线谱;使用加热电子的超高斯分布或Bump‑on‑tail分布对传统平衡态的非相干散射理论进行修正,并根据修正的非相干散射理论对三峰异常谱进行反演;对提取的异常谱进行修正和反演,将反演结果与未修正时的反演结果进行对比,取最优者作为最终反演结果。本发明针对传统的反演方法只考虑平衡态麦克斯韦分布这一局限进行修正,弥补传统反演过程所产生的极大误差,对强扰动电离层参量有更合理的估计。
搜索关键词: 基于 离子 线谱 结构 反演 扰动 电离层 参量 方法
【主权项】:
一种基于离子线谱三峰结构反演强扰动电离层参量的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)通过非相干散射雷达观测数据,提取电离层加热实验引起的强扰动区域具有零频峰三峰结构的异常非相干散射离子线谱;(2)使用非麦克斯韦速度分布对传统平衡态的非相干散射理论进行修正;(3)使用步骤(2)中修正的非相干散射理论对步骤(1)中提取的异常谱进行反演,获取电离层参量x1和拟合残差R1;(4)对步骤(1)中提取的异常谱进行修正并使用步骤(2)中修正的非相干散射理论对修正谱进行反演,获取最佳修正谱、反演参量x2以及拟合残差R2;(5)比较步骤3)和步骤4)获取的拟合残差,若R2<R1,则最佳修正谱所反演的电离层参量x2为最佳结果;反之,则表示修正效果不理想,无需对实测谱进行修正,电离层参量x1为最佳结果。
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