[发明专利]超级结的制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结的制造方法，包括如下步骤步骤一、提供第一导电类型均匀掺杂的第一外延层并形成沟槽。步骤二、进行多角度的多次第一导电类型的离子注入。步骤三、在沟槽中填充第二导电类型的第二外延层。本发明步骤二中多角度的多次离子注入的杂质能抵消沟槽的倒梯形结构形成的超级结的电荷失配，实现超级结的电荷自动匹配。本发明能采用沟槽填充形成柱状薄层，能实现对倒梯形沟槽所带来的电荷失配进行补偿，实现自动调节超级结的电荷匹配，提高器件的击穿电压，并能提高超级结的薄层的掺杂浓度，降低导通电阻。

主权项

一种超级结的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供具有第一导电类型均匀掺杂的第一外延层，采用光刻刻蚀工艺在所述第一外延层中形成超级结的沟槽，所述沟槽呈上宽下窄侧面倾斜的倒梯形结构，各所述沟槽之间的所述第一外延层组成漂移区薄层；步骤二、进行多角度的多次离子注入，各次所述离子注入从所述沟槽的侧面将第一导电类型杂质注入到所述漂移区薄层中；利用注入角度越小所述离子注入的注入位置所覆盖的所述漂移区薄层的纵向范围越大的特点，通过一系列的注入角度的设置，使通过所述离子注入工艺注入到所述漂移区薄层中的杂质量从所述沟槽的底部往上逐渐增加；步骤三、在所述沟槽中填充第二导电类型的第二外延层，由填充于所述沟槽中的所述第二外延层组柱状薄层，由所述柱状薄层和所述漂移区薄层交替排列组成所述超级结；所述第二外延层为在位均匀掺杂，步骤二中的所述离子注入的杂质用于抵消所述沟槽的倒梯形结构形成的所述柱状薄层和所述漂移区薄层之间的电荷失配，实现超级结的电荷自动匹配。