[发明专利]一种垂直负矫顽力人工磁耦合结构材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710600191.9 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107611257B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王可;董硕;王亚宏;徐展 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 362000*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁性间隔层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成的人工磁耦合结构材料及其制备方法，亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II是和薄膜I同样的稀土‑过渡合金材料，通过相同的磁控溅射过程控制不同的沉积厚度制得。亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I厚度为20‑30nm，是富稀土相，易磁化方向垂直膜面；亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II厚度为3‑6nm，是富过渡相，易磁化方向为面内或者倾斜接近膜面。利用层间交换耦合作用，可实现人工结构材料的垂直负矫顽力，制备工艺简单，材料性能稳定，可以作为一种新型的磁电、磁传感器件及信息存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 矫顽力 人工 耦合 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直负矫顽力人工磁耦合结构材料，其特征在于：包括依次层叠的亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁性间隔层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II；所述亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II是XFeCo合金薄膜，其中X是稀土元素Tb、Dy或Gd；所述亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I厚度为20‑30nm，其稀土元素X的子晶格磁矩占优，易磁化方向垂直膜面；所述非磁性间隔层的厚度为1‑4nm；所述亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II的厚度为3‑6nm，其过渡元素的子晶格磁矩占优，易磁化方向为面内或者倾斜接近膜面；所述TbFeCo合金薄膜的Tb元素成分不低于25％，DyFeCo合金薄膜的Dy元素成分不低于26％，GdFeCo合金薄膜的Gd元素成分不低于26％。
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