[发明专利]双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源有效
| 申请号： | 201710600355.8 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107452844B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈飞良;李沫;张晖;黄锋;李倩;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/24 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源，包括衬底、双曲超材料和量子点，双曲超材料的表面或内部有光栅微结构；双曲超材料是由介质薄膜和金属薄膜/介质薄膜和类金属薄膜交替形成一维周期性结构；量子点置于一维周期性结构内部或在双曲超材料的近场；本发明利用双曲超材料实现量子点宽带自发辐射增强，同时结合光栅的定向耦合输出特性提高光出射效率，大大提高量子点单光子源的光子产生速率和收集利用效率，可实现GHz以上的高频、高亮度、定向发射的量子点单光子源；同时兼容光泵浦和电泵浦两种激发方式，并适用于从紫外到红外各个波段；可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、量子精密测量相关领域。 | ||
| 搜索关键词： | 双曲超 材料 复合 光栅 增强 高频 量子 光子 | ||
【主权项】：
双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源，其特征在于：包括衬底（1）、在衬底（1）上的双曲超材料、量子点（4），所述双曲超材料的表面或内部形成有光栅微结构；所述双曲超材料是由介质薄膜（21）和金属薄膜，或介质薄膜（21）和类金属薄膜交替形成的多层的一维周期性结构；所述量子点（4）置于双曲超材料的一维周期性结构内部或在双曲超材料的近场。
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