[发明专利]芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710600400.X | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN109285825B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 林明哲 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法。该芯片堆叠结构包括第一芯片和第二芯片。第二芯片位于第一芯片上。第一芯片包括第一衬底、第一内连线结构、第一焊垫和第一接触导体。第一内连线结构位于第一衬底的第一表面上。第一焊垫位于第一内连线结构上。第一接触导体位于第一衬底中，且暴露于第一衬底的相对于第一表面的第二表面。第二芯片包括第二衬底、第二内连线结构、第二焊垫和第二接触导体。第二内连线结构位于第二衬底上。第二焊垫位于第二内连线结构上。第二接触导体位于第二衬底中，其中第一接触导体直接实体接触第二焊垫。本发明的芯片堆叠结构及管芯堆叠结构的制造方法的制作工艺简单且具有高制作工艺良率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 堆叠 结构 管芯 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片堆叠结构，其特征在于，包括：第一芯片，包括：第一衬底；第一内连线结构，位于所述第一衬底的第一表面上；第一焊垫，位于所述第一内连线结构上；以及第一接触导体，位于所述第一衬底中，且暴露于所述第一衬底的相对于所述第一表面的第二表面；以及第二芯片，位于所述第一芯片上，所述第二芯片包括：第二衬底；第二内连线结构，位于所述第二衬底上；第二焊垫，位于所述第二内连线结构上；以及第二接触导体，位于所述第二衬底中，其中所述第一接触导体直接实体接触所述第二焊垫。
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