[发明专利]一种紫外LED外延结构有效
| 申请号： | 201710600473.9 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107275450B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 何苗;黄波;王成民;周海亮;王润 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种紫外LED外延结构，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二交替叠加。由于在多量子阱与电子阻挡层之间增加设置超晶格结构，超晶格结构能够有效缓解有源区最后一个量子垒与电子阻挡层之间的应变，抑制电子泄漏，增大空穴注入率，从而提高紫外LED的光输出功率和内量子效率，使其呈现更佳的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括：衬底；依次生长在所述衬底上的未掺杂缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱结构、超晶格结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN层；其中，所述超晶格结构包括至少一层第一AlGaN层和至少一层第二AlGaN层，所述第一AlGaN层和所述第二AlGaN层交替叠加，所述超晶格结构中每层结构的厚度相同，所述第一AlGaN层中Al组分高于第二AlGaN层中Al组分，第一AlGaN层生长在多量子阱结构的表面。
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