[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710600804.9 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107644890A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李成殷;金正贤;金珍泽;安基完;尹柱善;崔炚永 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种能够在半导体层的脱氢工艺中防止对信号线的损坏的显示装置以及制造该显示装置的方法，所述显示装置包括基底；至少一个开关元件，位于基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于基底上，半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于半导体层上；以及导电层，通过绝缘层的接触孔连接到半导体层。绝缘层具有凹槽，所述凹槽与半导体层叠置并且围绕位于接触孔中的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，所述显示装置包括：基底；至少一个开关元件，位于所述基底上；像素电极，连接到所述至少一个开关元件；半导体层，位于所述基底上，所述半导体层提供所述至少一个开关元件的沟道区；绝缘层，位于所述半导体层上；以及导电层，通过所述绝缘层的接触孔连接到所述半导体层，其中，所述绝缘层具有凹槽，所述凹槽与所述半导体层叠置并且围绕位于所述接触孔中的所述导电层；所述凹槽的尺寸大于所述接触孔的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
