[发明专利]瞬态电压抑制器及其制造方法在审
| 申请号： | 201710600903.7 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107293533A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司11449 | 代理人： | 蔡纯,张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。该瞬态电压抑制器通过将并联的两个纵向NPN结构中的一个通过金属电极短路成PN结构，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第二掺杂类型的外延层，其中第一掺杂类型与第二掺杂类型不同；第一掺杂类型的隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；第一掺杂类型的掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。
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