[发明专利]一种稳定线性电源调整管压降电路

摘要

本发明公开了一种稳定线性电源调整管压降电路，属于线性稳压源电路技术领域，包括误差放大电路、过流保护电路、MOS管调整电路和电源隔离电路，MOS管调整电路分别与误差放大电路、过流保护电路和电源隔离电路电连接，过流保护电路分别与误差放大电路和电源隔离电路电连接，误差放大电路与电源隔离电路电连接。本发明采用MOS管作为调整管，由采样电路、误差比较放大电路和过流保护电路组成，使用电源隔离技术，使线性电源调整管压降控制在4V左右，使提高线性稳压电源输出可调范围明显增大，降低调整管损耗，延长功率管使用寿命，极大提高可调稳压电源的精度。

主权项

1.一种稳定线性电源调整管压降电路，其特征在于：包括误差放大电路、过流保护电路、MOS管调整电路和电源隔离电路，所述MOS管调整电路分别与所述误差放大电路、所述过流保护电路和所述电源隔离电路电连接，所述过流保护电路分别与所述误差放大电路和所述电源隔离电路电连接，所述误差放大电路与所述电源隔离电路电连接，所述MOS管调整电路包括MOS管Q1、第二三极管Q2和第一电阻R1，所述MOS管Q1的漏极D与电源VDD连接，所述MOS管Q1的栅极g通过所述第一电阻R1与所述第二三极管Q2的发射极连接，所述第二三极管Q2的集电极与电源VCC连接，所述过流保护电路包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第三电阻R3和第四电阻R4，所述第三三极管Q3的基极通过所述第三电阻R3与MOS管Q1的源极S连接，所述第三三极管Q3的发射极与所述第四电阻R4连接，所述第三三极管Q3的集电极与所述第二三极管Q2的基极连接，所述误差放大电路包括多个三极管和多个电阻，所述三极管由第四三极管Q4和第五三极管Q5组成，所述电阻由第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9和第十电阻R10组成，所述第十电阻R10连接在所述第五三极管Q5的基极与所述第三三极管Q3的发射极之间；所述第五三极管Q5的发射极分别与所述第八电阻R8和所述第九电阻R9连接；所述第八电阻R8的一端连接电源VCC，所述第九电阻R9的一端接浮地；所述第五三极管Q5的集电极与所述第四三极管Q4的基极连接；所述第四三极管Q4的发射极分别与所述第六电阻R6和第五电阻R5连接，所述第四三极管Q4的集电极分别与电源VCC和所述第七电阻R7连接，所述第四三极管Q4的基极与所述第七电阻R7的另一端连接，所述MOS管Q1为N沟道增强型场效应管，所述第二三极管Q2、所述第三三极管Q3、所述第四三极管Q4和所述第五三极管Q5均为NPN型三极管，所述MOS管Q1的源极S与栅极g之间的电位关系式根据基尔霍夫电流定律可得：Vg‑Vs＝Vgs    (2)其中：Vgs为开启门槛电压，Vs为采样电位，Vg为MOS管Q1栅极电位，Vbe为三极管基极与发射极间的压降，由式(1)和式(2)式可得出Vgs和Vs的关系，设定电路中电阻的参数和隔离电源Vcc到：电路中MOS管Q1在工作时处于调整开关状态，所述MOS管为高速powerMOS管，Vgs为开启门槛电压，Vgs为2～4V，所述MOS管源极对浮地的电位Vs为4V。