[发明专利]一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法有效
| 申请号： | 201710601044.3 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107326444B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;张保国;邵永亮;吴拥中;霍勤;胡海啸 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/40;C30B7/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征。本发明通过水热腐蚀的方法，在样品表面形成清晰的腐蚀形貌，借助空位辅助分离原理，制备的多孔衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。与现有技术相比，该方法具有过程简单、操作方便、成本低、实用性强的特点，具有反应条件缓和、操作简便、孔径均一等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 水热腐蚀 水热釜 衬底 氮化镓单晶 自支撑 生长 腐蚀 形貌 反应条件 分布表征 分离原理 加热反应 样品表面 晶体的 热反应 体单晶 空位 朝上 吹干 放入 位错 制备 装入 配制 清洗 剥离 取出 缓和 清晰 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)配制水热腐蚀溶液，装入水热釜，将GaN晶体Ga面朝上放入水热釜，封釜；(2)将水热釜加热反应，反应完毕后静置降温；(3)待水热釜降至室温，开釜取出GaN晶体，将GaN晶体进行清洗，并使用高纯氮气吹干，得到经水热反应腐蚀的GaN晶体；(4)对上述GaN晶体进行位错密度和分布表征；所述步骤(1)中配制的水热腐蚀液包括酸或碱溶液，并且加入氧化剂；所述水热腐蚀液中酸性溶液的PH值不大于5，碱性溶液PH值不小于9；所述步骤(1)中的GaN晶体为GaN单晶；所述步骤(2)中水热釜加热反应的反应温度为100℃～200℃；所述步骤(2)中水热釜加热反应的反应时间为1小时～4小时。
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