[发明专利]多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板有效

申请号：	201710601161.X	申请日：	2017-07-21
公开（公告）号：	CN107369613B	公开（公告）日：	2019-12-31
发明（设计）人：	李海旭;曹占锋;姚琪;张锋;党宁;高斐	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/304;H01L21/336;H01L29/786
代理公司：	11243 北京银龙知识产权代理有限公司	代理人：	许静;刘伟
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板。多晶硅薄膜的制作方法包括：在基板上沉积非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜；使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变，使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能；对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理，使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中，受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。本发明的方案能够消除多晶硅薄膜中晶粒与晶界所存在的缺陷，在应用于薄膜晶体管的有源层时，可降低薄膜晶体管的漏电流，以保证显示画面的稳定驱动。
搜索关键词：	多晶薄膜薄膜晶体管制作方法设备显示
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【主权项】：

1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：/n在基板上沉积非晶硅薄膜；/n对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜；/n使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变，使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能；/n对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理，使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中，受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜；/n使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变，包括：/n使用轧辊对所述多晶硅过渡薄膜进行轧制处理，使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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