[发明专利]透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法有效
| 申请号： | 201710602961.3 | 申请日： | 2017-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107576541B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 车仁超;毕寒;赵云昊;刘璐;赵雪冰;张捷 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米功能材料技术领域，具体为一种透射电镜的原位加电砷化铟/锑化镓超晶格半导体样品的制备方法。本发明由高温导电粘结胶制备、超晶格体材料透射样品和原位电极制备三部分组成。砷化铟/锑化镓化合物超晶格半导体通过导电胶对粘、机械减薄等过程，制备出适合透射电镜表征测试的样品，之后利用绝缘漆包线使之与四电极透射电镜样品台连接，即可开展透射电镜原位加电测试。砷化铟/锑化镓超晶格半导体作为经典实用的红外光电探测器件，研究其微观结构与载流子性质之间的物理机理和加电工作状态下载流子输运机理有助于红外探测器、量子级联激光器等光电器件的设计。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 原位 加电砷化铟 锑化镓超 晶格 半导体 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
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