[发明专利]Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极有效
申请号: | 201710604773.4 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107393787B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 陈鑫龙;唐光华;徐鹏霄;戴丽英;杨佩佩;钟伟俊 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01J1/34 | 分类号: | H01J1/34;H01J9/12 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 陈鹏 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种Al组分梯度渐变的透射式GaAlAs阴极,对蓝绿光敏感;该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Al组分恒定的Ga1‑x1Alx1As窗口层、Al组分梯度渐变的Ga1‑x2Alx2As发射层以及Cs/O激活层组成。本发明基于Ga1‑xAlxAs三元化合物Al/Ga组分控制技术、III‑V族化合物材料外延技术、光电阴极组件制备技术和超高真空激活技术,制备出蓝绿光敏感的负电子亲和势透射式GaAlAs光电阴极,结合电子倍增器件构成蓝绿光探测器,可应用于海洋探测、海底成像等领域。 | ||
搜索关键词: | al 组分 梯度 渐变 蓝绿 敏感 透射 gaalas 阴极 | ||
【主权项】:
1.一种Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极,其特征在于,该阴极自下而上由型号为Corning 7056#的玻璃基底(1)、SiO2保护层(2)、Si3N4增透层(3)、Ga1‑x1Alx1As窗口层(4)、Al组分梯度渐变的Ga1‑x2Alx2As发射层(5)以及Cs/O激活层(6)组成;所述Al组分梯度渐变Ga1‑x2Alx2As发射层(5)由4个p型Ga1‑xAlxAs外延材料构成的单元层组成,各单元层的Al组分由内到外梯度渐变,分别取0.70、0.55、0.40、0.25;每个单元层厚度值相同,为250nm;4个单元层都采用Be掺杂,掺杂浓度为8.0×1018cm‑3。
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