[发明专利]Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极有效

专利信息
申请号: 201710604773.4 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107393787B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 陈鑫龙;唐光华;徐鹏霄;戴丽英;杨佩佩;钟伟俊 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01J1/34 分类号: H01J1/34;H01J9/12
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 陈鹏
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种Al组分梯度渐变的透射式GaAlAs阴极,对蓝绿光敏感;该阴极自下而上由Corning 7056#玻璃基底、SiO2保护层、Si3N4增透层、Al组分恒定的Ga1‑x1Alx1As窗口层、Al组分梯度渐变的Ga1‑x2Alx2As发射层以及Cs/O激活层组成。本发明基于Ga1‑xAlxAs三元化合物Al/Ga组分控制技术、III‑V族化合物材料外延技术、光电阴极组件制备技术和超高真空激活技术,制备出蓝绿光敏感的负电子亲和势透射式GaAlAs光电阴极,结合电子倍增器件构成蓝绿光探测器,可应用于海洋探测、海底成像等领域。
搜索关键词: al 组分 梯度 渐变 蓝绿 敏感 透射 gaalas 阴极
【主权项】:
1.一种Al组分梯度渐变的蓝绿光敏感透射式GaAlAs阴极,其特征在于,该阴极自下而上由型号为Corning 7056#的玻璃基底(1)、SiO2保护层(2)、Si3N4增透层(3)、Ga1‑x1Alx1As窗口层(4)、Al组分梯度渐变的Ga1‑x2Alx2As发射层(5)以及Cs/O激活层(6)组成;所述Al组分梯度渐变Ga1‑x2Alx2As发射层(5)由4个p型Ga1‑xAlxAs外延材料构成的单元层组成,各单元层的Al组分由内到外梯度渐变,分别取0.70、0.55、0.40、0.25;每个单元层厚度值相同,为250nm;4个单元层都采用Be掺杂,掺杂浓度为8.0×1018cm‑3
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710604773.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top