[发明专利]一种无电阻式基准源

摘要

一种无电阻式基准源，属于电源管理技术领域。包括启动电路，在电源建立时使所述基准源脱离零状态，在启动完成后退出；基准电压产生电路，选择阈值电压负温系数较大的PMOS管和负温系数较小的NMOS管，由PMOS管和NMOS管阈值电压之差得到基准电压中的负温电压，正温电压由热电压、亚阈值斜率因子以及相关MOS管宽长比决定，由此可得到温度特性较好的基准电压VREF；偏置电流产生电路，利用工作在亚域区的NMOS管产生具有正温特性的偏置电流，且随着温度升高，其正温特性会增强。本发明在传统亚阈值基准的基础上减少了基准电路支路来降低基准电路的功耗以及提升基准电压的电源抑制比。

主权项

1.一种无电阻式基准源，其特征在于，包括：启动电路，在电源建立时使所述基准源脱离零状态，在启动完成后退出；基准电压产生电路，利用不同负温系数的阈值电压产生基准电压(VREF)；偏置电流产生电路，受所述启动电路使能产生具有正温特性的电流并作为所述基准电压产生电路的偏置电流；所述偏置电流产生电路包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)，第一NMOS管(MN1)的栅极连接第二NMOS管(MN2)的栅极、第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)的漏极并作为所述偏置电流产生电路的控制端连接所述启动电路的输出端；第二PMOS管(MP2)的栅极连接第一PMOS管(MP1)的栅极、第二PMOS管(MP2)和第二NMOS管(MN2)的漏极并作为所述偏置电流产生电路的输出端输出所述偏置电流；第三NMOS管(MN3)的栅漏短接并连接第二NMOS管(MN2)的源极；第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的源极接电源电压(VCC)，第一NMOS管(MN1)和第三NMOS管(MN3)的源极接地(GND)；所述基准电压产生电路包括第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)，第三PMOS管(MP3)的栅极连接所述偏置电流，其漏极连接第四PMOS管(MP4)的源极并作为所述基准电压产生电路的输出端输出所述基准电压(VREF)，第三PMOS管(MP3)的源极接电源电压(VCC)，第四PMOS管(MP4)的漏极和栅极接地(GND)；所有器件工作在亚阈值区。