[发明专利]一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器在审
申请号: | 201710605341.5 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107437483A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 李孟委;高跃升;张一飞;刘秋慧;王代华;王莉 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00;H01P1/22 |
代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司44260 | 代理人: | 杨小东 |
地址: | 030051*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器,该结构主要由衬底、第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关、第二短路开关、微波传输线CPW、衰减模块、引线和空气桥组成,衬底的上表面设有开关、微波传输线CPW、衰减片和引线,微波传输线CPW的T型结和转角上方设有空气桥,第一衰减开关、第二衰减开关、衰减模块以及微波传输线CPW构成的衰减通道,第一短路开关、第二短路开关和微波传输线CPW构成的短路通道,本发明采用了一种可实用化的射频MEMS开关,开关采用直板型带通孔的上电极和悬臂梁单触点式下电极,简化了结构,提高了的可靠性,在加工工艺中易于实现,使得衰减器具有较长的寿命且易于批量化生产,很适合实际应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 直板型 单刀 开关 单片 集成 衰减器 | ||
【主权项】:
一种直板型单刀单掷开关单片集成衰减器,其特征在于,所述射频衰减器包括:衬底,所述衬底为所述射频衰减器的基座承载体;两个T型结,两个所述T型结根据衬底通过中心点的轴线上对称设置,所述T型结具有两个处在同一直线上的平行端及一个垂直端,其中两个所述T型结位置相对的两个平行端之间构成一个衰减通道,另外两个所述T型结位置相对的两个平行端之间构成一个短路通道;在衰减通道上依次布置有第一衰减开关、衰减模块及第二衰减开关;在短路通道上依次布置有第一短路开关、及第二短路开关;所述第一衰减开关、第二衰减开关、第一短路开关及第二短路开关均采用直板型上电极及带悬臂梁单触点结构的下电极。
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