[发明专利]一种碳化硅开关器件及制作方法有效
| 申请号： | 201710605642.8 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107681001B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄润华;柏松;陶永洪;汪玲;刘奥;李士颜;刘昊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入Pwell区的浓度，N+区的掺杂浓度远高于侧向注入Pwell区，这种结构使得二次外延沟道区侧壁上的沟道长度取决于外延生长厚度。本发明采用两种机制完成器件的开关，二次外延沟道区的侧壁沟道非常短，在关断过程中产生足够高的压降就可以将外延漂移层电流通路关断，不用考虑高压下的沟道穿通，与传统碳化硅MOSFET相比有较大优势，同时采用较宽外延漂移层电流通路，保持预置电压为正值，与传统碳化硅JFET相比有很大的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 开关 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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