[发明专利]一种高效沉积CVD装置有效
申请号: | 201710605680.3 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107447205B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 黎子兰;陈景升;黎静;田青林;文龙 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种高效沉积CVD装置,进气装置、衬底支撑结构和加热器在反应腔内自上至下平行排布,衬底水平置于衬底支撑结构的支撑面之上,进气装置上开设若干个导流槽,其中50%以上导流槽的中心线走向以入气口为原点地从三维角度看:具有垂直向下的分量和从衬底托盘中心指向衬底托盘外缘方向的分量,同时衬底托盘转动方向的分量为零;或者,具有垂直向下的分量和衬底托盘转动方向的分量,同时从衬底托盘中心指向衬底托盘外缘方向的分量为零;或者,同时具有垂直向下的分量、从衬底托盘中心指向衬底托盘外缘方向的分量和衬底托盘转动方向的分量。本发明效率较高,不容易产生涡旋等气流,可有效的抑制气相反应,大幅降低颗粒物等不良副产物的产生。 | ||
搜索关键词: | 衬底 垂直向下 托盘外缘 托盘中心 托盘转动 指向 衬底支撑 高效沉积 进气装置 导流槽 加热器 平行排布 气相反应 反应腔 副产物 颗粒物 入气口 支撑面 涡旋 三维 | ||
【主权项】:
1.一种高效沉积CVD装置,包括反应室(2),反应室(2)的内部是反应腔(4),反应室(2) 包括进气装置(7)、衬底支撑结构和加热器(5),在反应室(2)的上方和下方分别设有入气口 (1)和出气口(3),进气装置(7)、衬底支撑结构和加热器(5)安装在反应腔(4)内,所述进气 装置(7)、衬底支撑结构和加热器(5)在反应腔(4)内自上至下平行排布,衬底水平置于衬底 支撑结构的支撑面之上,进气装置(7)上开设若干个导流槽(8),其特征是:其中50%以上导流槽(8)的 中心线走向以入气口(1)为原点地从三维角度看:具有垂直向下的分量和衬底托盘转动方 向的分量,同时从衬底托盘中心指向衬底托盘外缘方向的分量为零;所述衬底支撑结构为衬底托盘(6),并进一步的具有支撑衬底托盘(6)的旋转轴(9),旋转轴(9)固定连接在衬底托盘(6)下方中部, 并穿过反应室(2)与驱动机构连接,衬底托盘(6)支撑于反应室(2)内;穿过该50%以上导流槽(8)的反应气体在衬底托盘(6)和进气装置(7)所限定的空间中向外流出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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