[发明专利]一种磷酸钆晶体及其生长方法和用途在审
申请号: | 201710607217.2 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN109295497A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 陈雨金;黄艺东;林炎富;黄建华;龚兴红;罗遵度 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/14 | 分类号: | C30B29/14;C30B9/12;C09K11/81;H01S3/16 |
代理公司: | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 刘元霞 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种磷酸钆晶体和稀土离子激活的磷酸钆晶体及其生长方法和用途。其中,磷酸钆晶体的化学式为GdPO4,属于单斜晶系,空间群为P21/n。稀土离子激活的磷酸钆晶体中的稀土离子A选自Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+中的一种或多种。采用本发明中的无铅成分的化合物体系的助熔剂及顶部籽晶助溶剂法进行生长,可以使磷酸钆晶体和稀土离子激活的磷酸钆晶体的尺寸均达到厘米级,并且有效避免晶体生长过程中铅挥发对人体产生的伤害。另外,利用该方法生长获得的大尺寸的稀土离子掺杂磷酸钆晶体,可以作为一种具有实际应用价值的激光和发光材料。 | ||
搜索关键词: | 磷酸钆 稀土离子激活 生长 晶体的 晶体生长过程 稀土离子掺杂 化合物体系 单斜晶系 顶部籽晶 发光材料 稀土离子 空间群 厘米级 助熔剂 助溶剂 挥发 无铅 激光 伤害 应用 | ||
【主权项】:
1.一种磷酸钆晶体,其特征在于,其分子式为GdPO4,所述磷酸钆晶体尺寸为厘米级。
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