[发明专利]一种增强金刚石热导率的方法有效
申请号: | 201710607290.X | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107400923B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 朱嘉琦;赵继文;代兵;杨磊;韩杰才;舒国阳;刘康;高鸽;吕致君;姚凯丽;王强;刘本建 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/04;C23C16/27;C23C16/01;C23C16/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: |
一种增强金刚石热导率的方法,本发明涉及一种增强金刚石导热性的方法,本发明目的是要在不去除金刚石材料的基础上解决现有CVD方法制备金刚石两面晶粒尺寸差别过大,厚度较薄以及热导率提高困难的问题。增强金刚石热导率的方法:一、对硅片进行切割和超声清洗;二、对硅片进行打磨处理,在硅片表面建立辅助形核点;三、硅片放置于CVD装置中,通入生长气体氢气与甲烷,升温至750℃以上进行多晶生长;四、利用HNO |
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搜索关键词: | 一种 增强 金刚石 热导率 方法 | ||
【主权项】:
一种增强金刚石热导率的方法,其特征在于是按以下步骤实现:一、对硅片进行切割,然后分别置于无水乙醇和去离子水中进行超声清洗,得到洁净的硅片基底;二、对洁净的硅片基底进行打磨处理,在硅片表面建立辅助形核点,得到带有辅助形核点的硅片;三、将带有辅助形核点的硅片放置于CVD装置中,真空度抽至10‑4Pa以下,通入生长气体氢气与甲烷,升温至750℃以上进行多晶生长,得到带有硅基底的多晶金刚石片;四、利用HNO3与HF混合溶液对带有硅基底的多晶金刚石片进行腐蚀,去掉硅基底,清洗后得到自支撑多晶金刚石片;五、将骤四中得到的自支撑多晶金刚石片形核面向上,放置于CVD装置中,以与步骤三相同的生长方式与参数进行重复生长,得到增强热导率的多晶金刚石片。
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