[发明专利]一种低互调高频模块电路板的孔化方法

摘要

本发明公开的一种低互调高频模块电路板的孔化方法，包括以下步骤：S1、孔化前处理；S2、去除钻孔孔内污渍；S3、表面除油；S4、微蚀；S5、预浸；S6、活化；S7、加速；S8、孔内沉铜；S9、全板电镀。该低互调高频模块电路板的孔化方法能有效保护反向铜箔表面的结构，有利于进一步降低传输信号的干扰性，具有更低的低互调。

主权项

1.一种低互调高频模块电路板的孔化方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、孔化前处理：采用高速喷砂机对板子表面的反向铜箔进行孔化前的物理处理；其中，物理处理为依次进行水洗、高压水洗、表面除油、热水洗、金刚砂喷砂、高压水洗、热风烘干、冷风吹干；S2、去除钻孔孔内污渍：采用NaOH、KMnO₄、去钻污剂及纯水的混合溶液去除钻孔孔内污渍，然后经过二次高压水洗；其中，混合溶液中NaOH的浓度为40g/L、KMnO₄的浓度为65g/L的、去钻污剂的浓度为100ml/L；S3、表面除油：采用浓度为3‑5％的盐酸溶液对电路板表面进行有机除油，然后经过60‑80℃的热水清洗；S4、微蚀：采用浓度为80ml/L的H₂SO₄、浓度为65ml/L的H₂O₂、浓度为40ml/L的微蚀稳定剂及纯水的混合溶液对反向铜箔表面及其内孔进行微蚀；S5、预浸：将微蚀后的电路板放入浓度为80ml/L的HCL、浓度为240g/L的预浸盐及去离子水的混合溶液中进行预浸，预浸溶液的温度控制在80℃，预浸时间控制在20min；S6、活化：采用浓度为5g/L的NaOH、浓度为5g/L的H₃BO₃、浓度为40ml/L的活化剂及纯水的混合溶液再一次对板子的反向铜箔表面和内孔进行活化，活化溶液温度控制在60℃，活化时间控制在10min；S7、加速：在上述混合溶液中采用钯离子作为加速的催化剂，对孔化进行加速；S8、孔内沉铜：采用浓度为6g/L的HCHO、浓度为1g/L的NaOH、浓度为2g/L的Cu²⁺及纯水的混合溶液进行孔内沉铜，沉铜溶液温度控制在60℃，活化时间控制在30min，然后依次进行二次高压水洗；S9、全板电镀：将沉铜完毕的板子采用全自动电镀线进行全板电镀。