[发明专利]高频波供给构造

摘要

本发明提供高频波供给构造。该高频波供给构造具备在规定方向X上延伸的中心导体、与中心导体同轴配置且接地的外侧导体、及设置在中心导体与外侧导体之间的圆筒形状的绝缘构件。中心导体的顶端是支承工件W的支承部。在比外侧导体靠外侧处配置有与外侧导体及中心导体同轴配置的防附着构件。防附着构件的顶端比外侧导体的顶端在规定方向X上更接近支承部。绝缘构件具有从外侧导体的开口向支承部侧突出的突出部分，突出部分在规定方向上与外侧导体的顶端对向。

主权项

1.一种高频波供给构造，应用于在一个腔室内进行在工件上形成金属膜的处理和使用了高频波的对于工件的处理的成膜装置，具备：中心导体，在规定方向上延伸且被输入高频波；筒状的外侧导体，位于比所述中心导体靠外侧处且与所述中心导体同轴配置，并且接地；及圆筒形状的绝缘构件，设置在所述中心导体与所述外侧导体之间，所述中心导体具有从所述外侧导体的开口沿所述规定方向突出的顶端，所述中心导体的顶端是支承所述工件的支承部，其中，在比所述外侧导体靠外侧处配置有与所述外侧导体及所述中心导体同轴配置的筒状的防附着构件，所述防附着构件在所述规定方向上的所述支承部附近的端部具有顶端，所述外侧导体在所述规定方向上的所述支承部附近的端部具有顶端，所述防附着构件的顶端比所述外侧导体的顶端在所述规定方向上更接近所述支承部，所述绝缘构件具有从所述外侧导体的开口沿所述规定方向朝向所述支承部突出的突出部分，所述突出部分及所述防附着构件中的至少一方在所述规定方向上与所述外侧导体的顶端对向。