[发明专利]传送装置、基板离子植入系统以及方法有效
| 申请号： | 201710607786.7 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107437522B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 谢锐 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/265;H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 钟子敏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种传送装置、基板离子植入系统以及方法。该系统包括：基板承台和与基板承台连接的离子植入装置，基板可从基板承台进入离子植入装置；离子植入装置包括操作腔，基板可通过离子植入装置被传送至操作腔中进行离子植入；传送腔，用于将进行离子植入后的基板回传至基板承台。通过上述方式，本发明能够提高离子植入系统的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 传送 装置 离子 植入 系统 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板离子植入系统，其特征在于，所述系统包括：/n基板承台；/n离子植入装置，所述离子植入装置与所述基板承台连接，基板可从所述基板承台进入所述离子植入装置；/n所述离子植入装置包括操作腔，基板可通过所述离子植入装置被传送至所述操作腔中进行离子植入；/n传送腔，用于将进行离子植入后的基板回传至所述基板承台；/n所述基板承台与所述离子植入装置以及所述传送腔分别通过第一搬运机构连接，所述第一搬运机构用于将基板从所述基板承台搬运至所述离子植入装置，并且将从所述传送腔回传的基板搬运至所述基板承台；/n所述离子植入装置的远离所述基板承台一端与所述传送腔的远离所述基板承台一端之间设有第二搬运机构，所述第二搬运机构用于将基板从所述离子植入装置搬运至所述传送腔中，进而使传送腔将基板回传至所述基板承台。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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