[发明专利]一种用于射频MEMS开关的封装方法有效
申请号: | 201710607993.2 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107640738B | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 李孟委;张一飞;王俊强;高跃升;王莉 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人: | 杨小东 |
地址: | 030051*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 一种射频MEMS开关的封装方法,主要步骤为金属层的制作、封装帽的制作、金属键合和划片。所述封装帽本体为具有内凹腔结构的立方体结构,在封装帽本体的内凹腔壁上粘附金薄膜,可以防止微波信号以辐射的形式泄露,同时起到微波屏蔽的作用,在封装键合时,将衬底所在的晶圆放置在封装帽所在的晶圆上,两个晶圆通过对准标记相互对准,再升高加工温度,融化金属层,形成的合金键合层具有较高的键合强度,可以防止开关在划片时封装帽被划开,本发明采用的是晶圆级封装,需要通过划片将晶圆切割制成单颗组件,封装帽所在的晶圆在加工过程中进行双面光刻,便于划片,提高成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 射频 mems 开关 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于射频MEMS开关的封装方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:1)制作下金属层:在衬底上围绕所述射频MEMS开关设置一层中空方形氮化硅隔离层,在氮化硅隔离层的上方设置第一金属层;2)制作封装帽:所述封装帽为一具有内凹腔结构的立方体结构,在所述封装帽的凹腔边缘处设置第二金属层,所述第一金属层与所述第二金属层形状结构大小一致,所述封装帽本体的内表面粘附有金薄膜;所述金薄膜在所述封装帽本体相对的侧壁上开设缺口,所述缺口用于将所述射频MEMS开关的信号线传递至所述封装帽外;在制作封装帽时,需要进行双面光刻;3)键合:将所述封装帽所在的晶圆放置于所述衬底所在的晶圆上,两个晶圆通过对准标记相互对准,再升高加工温度,融化第一金属层及第二金属层,形成合金键合层;4)划片:根据双面光刻形成的图形划片,将晶圆切割制成单颗组件。
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