[发明专利]硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用在审
| 申请号： | 201710608019.8 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109298026A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;王泽峰;刘雕;王克行 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构及其制备方法和在探测二氧化氮中的应用，使用金属辅助化学刻蚀法刻蚀单晶硅以形成硅纳米线阵列，再进行稀疏粗糙化处理后进行沉积钨薄膜材料层，升温以生长一维氧化钨纳米线，最后进行铂电极制备。本发明的硅纳米线/氧化钨纳米线复合异质多级结构气敏敏感元件在室温下工作，且对二氧化氮具有很好的响应，在气体传感器与集成电路工艺兼容，延长传感器寿命，节约能耗，以及危险气体检测方面具有很重要的研究价值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨纳米线 多级结构 二氧化氮 硅纳米线 制备 刷状 探测 硅纳米线阵列 集成电路工艺 危险气体检测 单晶硅 传感器寿命 粗糙化处理 化学刻蚀法 气体传感器 金属辅助 敏感元件 铂电极 材料层 钨薄膜 刻蚀 稀疏 异质 沉积 应用 能耗 兼容 复合 节约 生长 响应 研究 | ||
【主权项】：
1.硅纳米线—氧化钨纳米线刷状多级结构，其特征在于，以硅纳米线垂直于硅片基底形成硅纳米线阵列，在组成硅纳米线阵列的每根硅纳米线的整个外表面上原位生长氧化钨纳米线，以形成刷状多级结构。
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