[发明专利]内嵌式触控AMOLED面板结构有效
申请号: | 201710608096.3 | 申请日: | 2017-07-24 |
公开(公告)号: | CN107527938B | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 陈哲 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/044 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种内嵌式触控AMOLED面板结构,包括TFT基板以及设于TFT基板上的OLED触控层,所述OLED触控层包括阳极导电层、像素定义层、发光层、阴极导电层、绝缘层以及桥接层;所述阴极导电层包括多个并列的阴极条、多个并列的触控感应线以及多个阵列排布的触控扫描电极块,所述桥接层包括将每行触控扫描电极块串联起来的桥接线,本发明通过将阴极条、触控感应线以及触控扫描电极块同层分割设置,避免了传统AMOLED面板中OLED阴极层对内嵌式触控传感器的信号屏蔽作用,从而在AMOLED面板内实现了真正的内嵌式触控技术,同时也简化了产品结构,大大减薄了产品厚度,可应用于整合超薄显示和柔性显示的技术需求。 | ||
搜索关键词: | 内嵌式触控 amoled 面板 结构 | ||
【主权项】:
一种内嵌式触控AMOLED面板结构,其特征在于,包括:TFT基板(10)以及设于TFT基板(10)上的OLED触控层(20);所述OLED触控层(20)包括:设于所述TFT基板(10)上的阳极导电层(21)、设于所述TFT基板(10)及阳极导电层(21)上的像素定义层(22)、设于阳极导电层(21)上的发光层(23)、设于像素定义层(22)及发光层(23)上的阴极导电层(24)、设于阴极导电层(24)上的绝缘层(25)以及设于所述绝缘层(25)上的桥接层(26);所述像素定义层(22)在阳极导电层(21)上围出多个阵列排布的像素开口(225);所述阴极导电层(24)包括对应每列像素开口(225)设置的阴极条(241)、多个设于所述像素定义层(22)上并与阴极条(241)相平行且间隔的触控感应线(242)以及多个阵列排布于所述像素定义层(22)上与所述阴极条(241)和触控感应线(242)均相间隔的触控扫描电极块(243);每一阴极条(241)均沿其所对应的一列像素开口(225)延伸并覆盖其所对应的一列像素开口(225);所述绝缘层(25)在对应每一触控扫描电极块(243)上方均设有桥接孔(251),所述桥接层(26)包括在每行触控扫描电极块(243)上方设置的桥接线(261),每一桥接线(261)通过桥接孔(251)将其所对应的一行触控扫描电极块(243)串联起来,每行串联起来的触控扫描电极块(243)共同构成一触控扫描线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的