[发明专利]毫米波GaN功放射频预失真线性化器有效
| 申请号： | 201710608325.1 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107517039B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李凯;张能波;朱海帆;党章;刘祚麟;忽文杰;李光 | 申请（专利权）人： | 西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所） |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32 |
| 代理公司： | 成飞(集团)公司专利中心 51121 | 代理人： | 郭纯武 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种毫米波GaN功放射频预失真线性化器，旨在提供一种结构简单、插损小、工作频带宽、稳定性好，能够适用于毫米波GaN功放的预失真线性化器，本发明通过下述技术方案予以实现:射频信号从射频输入口(1)，经输入微带线(2)相连的输入芯片电容(3)，通过输入金丝(4)相连的两级阻抗变换阶梯(6)进入宽带匹配网络(5)，GaAs肖特基二极管(8)和管座电路(9)产生一个与毫米波GaN功率芯片的幅度压缩和相位压缩特性相匹配的幅度扩展和相位扩展的失真射频信号，再通过宽带匹配网络(5)输出端上的两级阻抗变换阶梯(17)，经输出匹配金丝(19)相连的输出芯片电容(20)和输出微带线(21)输出到射频输出口(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 毫米波 gan 功放 射频 失真 线性化 | ||
【主权项】：
一种毫米波GaN功放射频预失真线性化器，包括，直流偏置电路(7)、GaAs肖特基二极管(8)、管座电路(9)和提供电源的直流电源(16)，其特征在于，GaAs肖特基二极管(8)与直流偏置电路(7)之间设有宽带匹配网络(5)；射频信号从射频输入口(1)，经输入微带线(2)相连的输入芯片电容(3)，通过输入金丝(4)相连的两级阻抗变换阶梯(6)进入宽带匹配网络(5)，宽带匹配网络(5)通过GaAs肖特基二极管(8)和管座电路(9)产生一个与毫米波GaN功率芯片的幅度压缩和相位压缩特性相匹配的幅度扩展和相位扩展的失真射频信号，再通过宽带匹配网络(5)输出端上的两级阻抗变换阶梯(17)，经输出匹配金丝(19)相连的输出芯片电容(20)和输出微带线(21)输出到射频输出口(22)。
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