[发明专利]一种硅片表面钝化方法在审

专利信息
申请号: 201710608344.4 申请日: 2017-07-24
公开(公告)号: CN107706267A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 廖晖;王海涛;李林东;肖贵云;陈伟;金浩 申请(专利权)人: 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 代理人: 何世磊
地址: 334100 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种硅片表面钝化方法,包括以下步骤1)将硅片经去离子水清洗后使用第一酸液洗去损伤层,所述第一酸液包括HF和HNO3;2)将步骤1)中经过第一酸液酸洗的硅片再次经去离子水洗后进行碱漂洗;3)将步骤2)中经过碱漂洗的硅片再次经去离子水洗后使用第二酸液进行酸洗,所述第二酸液包括HF和HCl;4)将步骤3)中经过第二酸液酸洗的硅片再次经去离子水洗后烘干,得到预处理好的硅片;5)将所述预处理好的硅片采用ALD技术进行双面Al2O3镀膜;6)将镀好Al2O3膜的硅片进行退火处理,得到钝化处理完的硅片;7)对所述钝化处理完的硅片进行少子寿命测试。本发明提供的硅片表面钝化方法能够解决碘酒钝化不均匀,少子寿命低的问题。
搜索关键词: 一种 硅片 表面 钝化 方法
【主权项】:
一种硅片表面钝化方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将硅片经去离子水清洗后使用第一酸液洗去损伤层,所述第一酸液包括HF和HNO3;2)将步骤1)中经过第一酸液酸洗的硅片再次经去离子水洗后进行碱漂洗;3)将步骤2)中经过碱漂洗的硅片再次经去离子水洗后使用第二酸液进行酸洗,所述第二酸液包括HF和HCl;4)将步骤3)中经过第二酸液酸洗的硅片再次经去离子水洗后烘干,得到预处理好的硅片;5)将所述预处理好的硅片采用ALD技术进行双面Al2O3镀膜;6)将镀好Al2O3膜的硅片进行退火处理,得到钝化处理完的硅片;7)对所述钝化处理完的硅片进行少子寿命测试。
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