[发明专利]柔性OLED阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201710609768.2 | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107564941B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种柔性OLED阵列基板,其包括柔性基板、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间介电层、第二层间介电层、钝化层以及像素定义层。本发明还提供一种柔性OLED阵列基板的制作方法。本发明通过第二栅极绝缘层上第一栅极绝缘层刻蚀孔和第二栅极绝缘层刻蚀孔;以及第一层间介电层上第一层间介电层刻蚀孔以及第二层间介电层刻蚀孔的设置;提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 柔性 oled 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种柔性OLED阵列基板,其特征在于,包括:柔性基板;阻挡层,设置在所述柔性基板上,用于阻挡外部水气以及氧气;缓冲层,设置在所述阻挡层上;有源层,设置在所述缓冲层上,包括位于所述有源层中部的沟道、位于所述有源层一侧的源极掺杂层和位于所述有源层另一侧的漏极掺杂层;第一栅极绝缘层,设置在所述缓冲层和所述有源层上;第一栅极,设置在所述第一栅极绝缘层上;第二栅极绝缘层,设置在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极上,所述第二栅极绝缘层上设置有贯通到所述第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔和贯通到所述缓冲层的第二栅极绝缘层刻蚀孔;第二栅极,设置在所述第二栅极绝缘层上;第一层间介电层,设置在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极上;所述第一层间介电层上设置有贯通至所述第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔以及贯通至所述缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔,所述第二层间介电层刻蚀孔的设置位置对应所述第二栅极绝缘层刻蚀孔的设置位置;第二层间介电层,设置在所述第一层间介电层上,所述第二层间介电层上设置有贯通至所述源极掺杂层的源极电极以及贯通至所述漏极掺杂层的漏极电极;钝化层,设置在所述第二层间介电层上,所述钝化层上设置有贯通至所述源极电极的金属阳极;以及像素定义层,设置在所述钝化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的