[发明专利]一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201710610318.5 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107482091B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 毕京锋;吴超瑜;王笃祥;李森林;吴俊毅;连恺熙 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法，所述隧穿结包括：P型掺杂隔离层；重掺杂P型层；金属原子层；重掺杂N型层；N型掺杂隔离层。其中，所述N、P型掺杂隔离层作为高势垒层，能阻止高掺杂层的杂质扩散和杂质复合（俄歇复合），所述金属原子层作为辅助隧穿层，具有1~2原子层厚度，晶格处于应变状态，不存在晶格失配问题，同时能够有效减小遮光效应，不影响器件亮度，也可以有效减小串联电阻，提高光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 隧穿结 多结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于多结LED的隧穿结，包括：P型掺杂隔离层；重掺杂P型层；金属原子层；重掺杂N型层；N型掺杂隔离层；所述N型掺杂隔离层和P型掺杂隔离层阻止重掺杂层的杂质扩散和杂质复合，所述金属原子层的材料是在MOCVD生长过程中MO源热裂解形成的金属原子。
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