[发明专利]基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201710610914.3 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107464847A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 林珍华;常晶晶;郭兴;张春福;陈大正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/228 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心61205 | 代理人： | 王品华,朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管及制备方法，主要解决现有二硫化钼晶体管接触电阻过高的问题。该晶体管结构包括底栅(1)、介电层(2)、源电极(3)、漏电极(4)、半导体层(5)。其中介质层(2)设置于底栅(1)上方，半导体层(5)设于介质层(2)上方，源电极(3)与漏电极(4)设于半导体层(5)的两端，半导体层(5)与源电极(3)之间的接触区域设为源掺杂区域(6)，半导体层(5)与漏电极(4)之间的接触区域设为漏掺杂区域(7)，这两个掺杂区均采用浓度为10％‑30％的氢氧化钾水溶液进行掺杂。本发明降低了二硫化钼晶体管的接触电阻，提高了晶体管的迁移率和开关比，可用于数字电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 碱金属 溶液 掺杂 二硫化钼 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于碱金属溶液掺杂的二硫化钼晶体管，其特征在于，包括自下而上依次设置的底栅(1)和介电层(2)，介质层(2)上方设置有源电极(3)、漏电极(4)和半导体层(5)，其特征在于：半导体层(5)与源电极(3)之间设有源掺杂区域(6)，半导体层(5)与漏电极(4)之间设有漏掺杂区域(7)，这两个掺杂区均采用10％‑30％氢氧化钾水溶液进行掺杂。
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