[发明专利]一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种内嵌金属微通道的转接板及其制备方法，包括相互键合的第一衬底和第二衬底，以及设置于所述第一衬底中的金属微通道；所述金属微通道由第一衬底上的贯穿孔和第二衬底上的金属翅片组成；在集成高密度芯片的过程中，转接板的第一衬底和第二衬底先键合构成转接板结构，金属翅片置于第一衬底的贯穿孔中而构成金属微通道结构，然后在第一衬底表面集成高密度芯片，高密度芯片通过第一衬底表面金属再布线层和金属互连通孔实现信号的再分配，通过金属微通道导热。转接板导热效果良好，封装尺寸小，工艺简单，成本可控。

主权项

一种内嵌金属微通道的转接板，用于集成高密度芯片，其特征在于：包括相互键合的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底内部设置有金属微通道；所述第一衬底上设有多个通孔、多个贯穿孔、绝缘层、金属互连层和金属再布线层；所述通孔和贯穿孔间隔分布于所述第一衬底；所述绝缘层连续布置于所述通孔的侧壁、贯穿孔的侧壁和所述第一衬底的上下表面；所述金属互连层连续布置于所述通孔侧壁和贯穿孔侧壁的绝缘层表面；所述金属再布线层布置于所述第一衬底上表面绝缘层上与高密度芯片接触的部分、第一衬底下表面绝缘层上与第二衬底接触的部分；所述金属再布线层与金属互连层接触形成电信号通路；所述第二衬底的上表面有若干金属翅片，所述金属翅片位于所述贯穿孔内，且下端与第二衬底固定连接，上端延伸至所述第一衬底上表面的金属再布线层所在平面；所述金属微通道包括贯穿孔和金属翅片；高密度芯片集成于转接板时，高密度芯片置于第一衬底上方，电信号通过第一衬底上表面的金属再布线层和金属互连层实现再分配，高密度芯片产生的热量通过金属微通道导热。