[发明专利]一种用于扩散制结的分类返工工艺有效
申请号: | 201710611577.X | 申请日: | 2017-07-25 |
公开(公告)号: | CN107452599B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 贾宇龙;焦朋府;张雁东;王森栋;崔龙辉 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 14101 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人: | 李富元<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池硅片生产领域。一种用于扩散制结的分类返工工艺,对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片,测量该返洗片的方阻值,如果该方阻值为85‑95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理,如果方阻值大于95Ω则进行进舟、升温、恒温、变温沉积、恒温推进、降温、出舟,进行二次扩散处理,然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理。本发明根据方阻值分类进行二次扩散,并采用适合返洗片的二次扩散工艺,使返洗片合格率提升至96%左右,同时提将产线的整体合格率提升至98%左右。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 扩散 分类 返工 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种用于扩散制结的分类返工工艺,其特征在于:对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行返工形成返洗片,测量该返洗片的方阻值,如果该方阻值为85-95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理,如果方阻值大于95Ω则进行如下的步骤进行二次扩散处理,然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理:/n步骤一、进舟,保持氮气流量为7.5L/min,进舟温度设定为750℃,进舟速度为45cm/min,将返洗片进行进舟处理;/n步骤二、升温,保持氮气流量为7.5L/min,如果方阻值在95-130Ω之间,则按照6℃/min的速率升高到760℃保温,如果方阻值在大于等于130Ω,则按照6℃/min的速率升高到770℃保温;/n步骤三、恒温,保持温度不变,保持氮气流量不变,保温600s;/n步骤四、变温沉积,按照升温速率6℃/min进行升温,同时通入氮气1400ml/min,通入氧气500 ml/min,在升温过程进行沉积,对于方阻值在95-130Ω之间的,升温到805℃,对于方阻值大于等于130Ω的,升温到815℃;/n步骤五、恒温推进,保持温度不变,通入氮气6L/min,氧气2900mL/min,对于方阻值在95-130Ω之间的,持续时间时间660s,对于方阻值大于等于130Ω的,持续时间时间960s;/n步骤六、降温,按照降温速率4℃/min进行降温,同时通入氮气25 L/min,对于方阻值在95-130Ω之间的,降温到780℃,对于方阻值大于等于130Ω的,降温到790℃;/n步骤七、出舟,保持氮气流量为20L/min,出舟速度40cm/min,将返洗片进行出舟处理,对于方阻值在95-130Ω之间的,设定出舟温度为770℃,对于方阻值大于等于130Ω的,设定出舟温度为780℃。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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