[发明专利]电阻模型及其修正方法有效
| 申请号： | 201710612356.4 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107391849B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张强;陈广龙;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种电阻模型及其修正方法，包括：制定宽度、长度及与周围图形距离不同的多个电阻结构；测量所述多个电阻结构的电阻值，分别得出宽度、长度及与周边图形距离对电阻结构深度的影响参数；对所述影响参数进行拟合，得出所述电阻结构的深度分别与宽度、长度及与周围图形距离的函数关系：H＝f(W，L，S)，H为电阻结构的深度，W为电阻结构的宽度，L为电阻结构的长度，S为电阻结构与周围图形的距离；在电阻模型的提取过程中，根据所述函数关系对电阻结构进行修正。本发明对电阻模型中方块电阻率的概念进行了修正，得到更高精度的电阻模型公式，解决了在新工艺新技术下电阻模型公式无法精确仿真的弊端。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 模型 及其 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻模型的修正方法，其特征在于，包括：制定宽度、长度及与周围图形距离不同的多个电阻结构；测量所述多个电阻结构的电阻值，分别得出宽度、长度及与周边图形距离对电阻结构深度的影响参数；对所述影响参数进行拟合，得出所述电阻结构的深度分别与宽度、长度及与周围图形距离的函数关系：H＝f(W，L，S)，H为电阻结构的深度，W为电阻结构的宽度，L为电阻结构的长度，S为电阻结构与周围图形的距离；在电阻模型的提取过程中，根据所述函数关系对电阻结构进行修正。
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