[发明专利]一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，包括硅基底、金属‑氧化物半导体场效应晶体管、第一金属层、通孔、底电极，有机发光层、顶电极和薄膜封装层，所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管位于硅基底中，所述底电极凸出于所述硅基底表面，所述底电极的边缘由绝缘钝化物包覆，所述有机发光层覆盖于底电极和绝缘钝化物之上，所述顶电极覆盖于所述有机发光层之上，所述薄膜封装层覆盖于所述顶电极之上。本发明所述的硅基有机发光器件及其制造方法，将通孔偏置并且对底电极进行包边处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度，提高了发光效率。

主权项

1.一种硅基有机发光器件，包括硅基底、金属‑氧化物半导体场效应晶体管、第一金属层、通孔、底电极、有机发光层、顶电极、薄膜封装层和共电极，其特征在于，所述金属‑氧化物半导体场效应晶体管位于硅基底中，所述底电极凸出于所述硅基底表面，所述底电极的边缘由绝缘钝化物包覆且所述底电极中未被包覆的区域为发光区，所述共电极选择性地包覆绝缘钝化物，所述通孔连接第一金属层和所述底电极，所述有机发光层覆盖于底电极和包覆于所述底电极的绝缘钝化物之上，所述顶电极覆盖于所述有机发光层和所述共电极之上，所述薄膜封装层覆盖于所述顶电极之上；所述底电极自下而上至少包括光反射层和有机接触层；所述通孔设置在所述底电极的边缘位置或四角位置且突出于所述发光区；所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。