[发明专利]一种清洗剂、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201710613213.5 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107338116B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王溯;蒋闯;冯强强 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/22 | 分类号： | C11D1/22;C11D1/66;C11D3/04;C11D3/26;C11D3/28;C11D3/34;C11D3/39;C11D3/60 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;袁红 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。本发明的清洗剂的制备方法，其包括下列步骤，将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种。本发明的制备方法制得的清洗剂在清洗刻蚀灰化后的半导体芯片中的应用中，清洗质量和效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 腐蚀抑制剂 清洗剂 制备方法和应用 质量分数 制备 清洗 半导体芯片 苯并三氮唑 表面活性剂 含碘氧化剂 金属离子 原料混合 吡咯烷酮 蚀刻剂 溶剂 灰化 刻蚀 硫代 应用 | ||
【主权项】：
1.一种清洗剂的制备方法，其特征在于，其包括下列步骤：将下述原料混合，即可；所述的原料包含下列质量分数的组分：0.5％‑20％的含碘氧化剂、0.5％‑20％的含硼蚀刻剂、1％‑50％的吡咯烷酮类溶剂、1％‑20％的腐蚀抑制剂、0.01％‑5％的不含金属离子的表面活性剂，和水，各组分质量分数之和为100％；所述清洗剂的pH值为7.5‑13.5；所述的腐蚀抑制剂为苯并三氮唑类腐蚀抑制剂、腙类腐蚀抑制剂、卡巴腙类腐蚀抑制剂和硫代卡巴腙类腐蚀抑制剂中的一种或多种；所述的不含金属离子的表面活性剂为聚乙烯吡咯烷酮和/或十二烷基苯磺酸。
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