[发明专利]半导体存储器及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器及其制造方法，包括：半导体衬底，形成有多个内存数组结构中的第一焊盘以及内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；双面电容器阵列，形成于所述第一焊盘上，所述双面电容器包括双U型的第一导电层及第二导电层、电容介质以及第三导电层；及支架筒，形成于所述第二焊盘上，所述支架筒包括无电性功能的虚置孔。本发明以多重图案方法以及边界工艺强化的支撑架结构，制造出六方阵列排布的双U型下电极的双面电容器，具有较大的高度与宽度比，可有效提高单位面积下的电容值。

主权项

1.一种半导体存储器的制造方法，其特征在于，包括：1)提供一半导体衬底，所述衬底上形成有多个在内存数组结构中的第一焊盘、以及排除在所述内存数组结构之外且位于所述第一焊盘外周的若干第二焊盘；2)于所述衬底上形成交替层叠的介质层及支撑层；3)于所述介质层上形成第一掩膜以及第二掩膜，所述第一掩膜用于刻蚀所述介质层以形成与所述第一焊盘对应的电容孔以及与所述第二焊盘对应的虚置孔，所述第二掩膜用于掩蔽位于所述电容孔及所述虚置孔之外的外围区域，且所述第二掩膜的边缘沿着距离最靠近的电容孔或虚置孔的一预设间距弯曲；4)基于所述第一掩膜及所述第二掩膜于所述介质层中刻蚀出直至所述第一焊盘的电容孔及直至所述第二焊盘的虚置孔；5)于所述电容孔内及所述虚置孔内形成第一导电层与第二导电层；步骤5)中，先于所述第一导电层表面形成牺牲间隔层，然后将所述牺牲间隔层回蚀至所述电容孔以内；6)形成多个开口，所述开口暴露所述电容孔内的部分所述介质层及部分所述牺牲间隔层，藉由所述开口进行湿法腐蚀去除所述介质层及所述牺牲间隔层，所述开口相对偏离所述虚置孔；及7)对应于所述电容孔位置，形成覆盖所述第一导电层及第二导电层内表面及外表面的电容介质，并形成覆盖所述电容介质外表面的第三导电层，由所述电容孔位置制备出双面电容器，由所述虚置孔位置制备出连接所述支撑层的支架筒。