[发明专利]一种MoS2/SnS纳米异质结的合成方法

摘要

本发明涉及一种MoS₂/SnS纳米异质结的合成方法，包括：1)称取钼酸铵((NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O)和硫脲((NH₂)₂CS)分别溶于去离子水中；2)将钼酸铵溶液缓慢滴加至硫脲溶液中，搅拌使其混合均匀；3)称取一定量的赖氨酸溶于去离子水中，将其倒入钼酸铵和硫脲的混合溶液中，调节pH＝4‑5，搅拌后移入反应釜，在190‑200℃水热条件下保温一定时间；4)经分离、洗涤和干燥，获得MoS₂；5)称取SnCl₂溶于溶剂中，搅拌后加入MoS₂，继续搅拌；6)称取Na₂S·9H₂O溶于去离子水中，滴加至MoS₂和SnCl₂的混合溶液中，搅拌充分反应；7)经分离、洗涤和干燥获得最终产物。本发明合成工艺简单，产物化学稳定性高，比表面积大，具有良好的可见光催化性能。

主权项

1.一种MoS₂/SnS纳米异质结的合成方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将钼酸铵和硫脲分别溶解至去离子水中，充分搅拌溶解后获得均匀的钼酸铵溶液和硫脲溶液，其中钼酸铵溶液、硫脲溶液中Mo⁴⁺、硫脲的浓度分别为1mol/L、2mol/L；(2)取1份钼酸铵溶液以0.5ml/min的滴加速率加入至2份硫脲溶液中，经持续搅拌后获得均匀的混合溶液，所得混合溶液中Mo⁴⁺与硫脲的摩尔比为1:4；(3)将赖氨酸溶于去离子水中，搅拌后倒入钼酸铵和硫脲的混合溶液中，使赖氨酸与Mo⁴⁺摩尔比为1:10，通过加入冰醋酸调节溶液pH＝4‑5，经过充分反应后将得到的溶液移入反应釜中，控制反应釜内温度为190‑200℃，保温30‑50h，之后将反应釜降温至室温，获得溶剂热产物；(4)将步骤(3)得到的溶剂热产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在60‑80℃温度下干燥10‑12h，获得MoS₂纳米粉；(5)将SnCl₂溶于溶剂中，充分搅拌后获得均匀的SnCl₂溶液，SnCl₂溶液中Sn²⁺的浓度为0.2mol/L，将步骤(4)制备出的MoS₂纳米粉加入SnCl₂溶液中，充分搅拌混合均匀，得到悬浊液A；(6)将Na₂S·9H₂O溶于去离子水中，使形成的硫化钠溶液中S^2‑的浓度为0.2mol/L，然后将硫化钠溶液以0.5ml/min滴加速率加入至步骤(5)所得悬浊液A中，滴加结束后保证Sn²⁺与S^2‑的摩尔比为1:1，滴加结束后搅拌2h使其反应充分；(7)将步骤(6)的产物转移至高速离心分离机中进行离心分离，取固体沉淀物，之后，对得到的固体沉淀物进行清洗，再将清洗后得到的固体产物放入干燥箱内，在50‑70℃温度下干燥10‑12h，获得合成产物MoS₂/SnS纳米异质结，所得MoS₂/SnS纳米异质结包含MoS₂和SnS两相，其中SnS的质量分数为(1‑10)％。