[发明专利]一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法

摘要

一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/Al_xIn_yGa_1‑x‑yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层，然后再在Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。

主权项

1.一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，利用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层；其特征在于：所述AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成，每层短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层的厚度为2nm；在生长所述InGaN/Al_xIn_yGa_1‑x‑yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层，然后再在Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层，所述Al_xIn_yGa_1‑x‑yN超晶格势垒层中x和y的比值为3.66∶1，且x为0.1～0.8；y为0.03～0.22。