[发明专利]稳压电路和方法有效
| 申请号： | 201710615534.9 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109308090B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种稳压电路和方法，涉及半导体技术领域。该稳压电路包括：镜像电流源，具有两个电流输出端；耗尽型MOS管，具有与镜像电流源的一个电流输出端连接的漏极，接地的栅极和源极；增强型MOS管，具有与镜像电流源的另一个电流输出端连接的漏极和接地的源极；第一电阻性器件，具有与耗尽型MOS管的漏极连接的第一端和与增强型MOS管的栅极连接的第二端；第二电阻性器件，具有与第一电阻性器件连接的第一端和接地的第二端。该稳压电路和方法能够降低系统功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 稳压 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稳压电路，包括：镜像电流源，具有两个电流输出端；耗尽型金属‑氧化物‑半导体场效应MOS晶体管，具有与所述镜像电流源的一个电流输出端连接的漏极，接地的栅极和源极；增强型MOS管，具有与所述镜像电流源的另一个电流输出端连接的漏极和接地的源极；第一电阻性器件，具有与所述耗尽型MOS管的漏极连接的第一端和与所述增强型MOS管的栅极连接的第二端；第二电阻性器件，具有与所述第一电阻性器件连接的第一端和接地的第二端。
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