[发明专利]一种硅片切割裂片工艺在审
申请号: | 201710615642.6 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109304816A | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王鹏;杨玉聪;韩义胜;杨伟;张妍 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明提供一种硅片切割裂片工艺,包括如下步骤:测试:利用测试装置测试硅片的电学特性;切割:从P面自动将硅片对准,从N面进行划片;裂片:自动对硅片进行裂片。本发明的有益效果是切割方向采用P面切割,省去了N面做切割道工序,节约成本,自动裂片效率更高,便于调节力度,崩边连芯比例更少。测试方式采用针排、针板测试,大幅提高测试效率,图像识别自动分选结合皮带自动化传递,提高工作效率,减少人工成本。 | ||
搜索关键词: | 硅片切割 裂片工艺 测试 硅片 裂片 切割 测试方式 测试效率 测试装置 电学特性 工作效率 硅片对准 切割方向 人工成本 图像识别 自动分选 自动裂片 切割道 崩边 划片 连芯 针板 针排 皮带 自动化 传递 节约 | ||
【主权项】:
1.一种硅片切割裂片工艺,其特征在于:包括如下步骤:测试:利用测试装置测试硅片的电学特性;切割:从P面自动将硅片对准,从N面进行划片;裂片:自动对硅片进行裂片。
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