[发明专利]改善产品电参数的玻璃烧成工艺在审
| 申请号： | 201710615661.9 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309014A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;史丽萍;杨玉聪;杨伟 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供改善产品电参数的玻璃烧成工艺，包括预热：用于除去配料中的水分和产品应力；烧成：包括第一阶段升温烧成和第二阶段升温烧成，整个烧成过程中通入携带水汽的氧气。本发明的有益效果是通过预热步骤和冷却步骤能够释放应力，避免碎片，整个烧成过程中通入携带水汽的氧气，生成致密的玻璃钝化层，玻璃烧成工艺，改善产品的电性，IR降低，电压稳定性好，良品率高，满足使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 烧成 烧成工艺 产品电参数 阶段升温 水汽 玻璃 氧气 致密 玻璃钝化层 电压稳定性 冷却步骤 预热步骤 携带 良品率 预热 电性 释放 | ||
【主权项】：
1.改善产品电参数的玻璃烧成工艺，其特征在于，包括如下步骤：预热：用于除去配料中的水分和产品应力；烧成：包括第一阶段升温烧成和第二阶段升温烧成，整个烧成过程中通入携带水汽的氧气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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