[发明专利]一种GPP生产的光刻版工艺有效
| 申请号： | 201710615679.9 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109307981B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 梁效峰;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;王晓捧;史丽萍;杨玉聪;牛慧锋 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/60 | 分类号： | G03F1/60;G03F1/42 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种GPP生产的光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片；所述S1光刻时硅片的P、N两面采用“回”字对准标记；光刻时N面图形采用白方块点划线；所述S4采用湿法刻蚀去除氧化层。本发明相较于原工艺的有益效果是：采用“回”字对版标记和白方块点划线式基准线，用湿法去除氧化层后，能保留硅片表面清晰的基准线，便于硅片P、N面对版以及后续切割时有轨迹可依。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gpp 生产 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种GPP生产的光刻版工艺，步骤包括：S1、对硅片进行光刻；S2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；S3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；S4、去除氧化层；S5、对硅片表面镀金；S6、划片，其特征在于：所述S1光刻时硅片的P、N面对版标记采用“回”字对版标记。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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