[发明专利]对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201710616299.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107507871B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄维;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0312;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 姚佳雯<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法。该对面正入光型高功率光导开关器件包括：中空金属电极、金属环、增透钝化层、透明导电层、高电阻半导体、高反电极和实心金属电极，所述高电阻半导体作为衬底，在其上依次设有所述透明导电层和增透钝化层，还设有环绕并连接于所述透明导电层和增透钝化层周围的所述金属环，所述金属环的与衬底相反的一侧与所述中空金属电极连接；在所述高电阻半导体的背面设有所述高反电极，所述高反电极的与衬底相反的一侧与所述实心金属电极连接；器件由高击穿场强的介电材料封装。本发明能够避免载流子不均引起的边缘击穿，大大提高开关耐压值和光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 对面 正入光型高 功率 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种对面正入光型高功率光导开关器件，其特征在于，包括：中空金属电极、金属环、增透钝化层、透明导电层、高电阻半导体、高反电极和实心金属电极，/n所述高电阻半导体作为衬底，在其上依次设有所述透明导电层和增透钝化层，还设有环绕并连接于所述透明导电层和增透钝化层周围的所述金属环，所述金属环的与所述衬底相反的一侧与所述中空金属电极连接；在所述高电阻半导体的背面设有所述高反电极，所述高反电极的与所述衬底相反的一侧与所述实心金属电极连接；器件由高击穿场强的介电材料封装；/n其中，所述增透钝化层为采用PECVD沉积SiO2而成，所述高反电极为沉积Ag而成；/n所述高电阻半导体的侧面上镀有耐高电压高反钝化膜；/n所述中空金属电极和实心金属电极直径相同，轴线重合；/n所述中空金属电极的中间通孔内径与所述透明导电层的直径相同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
