[发明专利]回转率检测电路

摘要

本发明提供一种回转率检测电路，其包含电阻、电流源，以及串联耦接于电源端与接地端之间的第一金属氧化物场效应晶体管。电阻的第一端耦接至电源端，电阻的第二端耦接至电流源的第一端，电流源的第二端耦接至第一MOSFET的漏极端，以及第一MOSFET的源极端耦接至接地端。电路亦包含电容，其具有耦接至输入信号的第一端，以及耦接至第一MOSFET的栅极端与漏极端的第二端。在输入信号变换的期间内流经MOSFET的电流用以呈现输入信号的回转率。本发明可提供更简单的电路设计，其相比传统电路更具有成本效益。

主权项

一种用于测定一输入信号的回转率检测电路，其特征在于，包含：一电阻；一电流源；一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接于一电源端与一接地端，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一漏极端、一栅极端，以及一源极端，其中该电阻的一第一端耦接至该电源端，该电阻的一第二端耦接至该电流源的一第一端，该电流源的一第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该漏极端，以及该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极端耦接至该接地端；以及一电容，具有一第一端以及一第二端，该第一端耦接至该输入信号，且该第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极端与该漏极端；其中，在该输入信号变换的期间内流经该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的一电流呈现该输入信号的该回转率。