[发明专利]一种顶栅石墨烯场效应晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201710617152.X | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107342314A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘玉洁 | 申请（专利权）人： | 无锡南理工科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种顶栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤(1)清洗衬底依次分别采用丙酮、甲醇、异丙醇清洗衬底各5分钟，并烘干待用；(2)在基板上制备衬底绝缘材料采用PECVD方法沉积薄膜SiO2；(3)制备石墨烯通道层采用Sol‑Gel旋涂法在绝缘材料上旋涂石墨烯溶液，再通过机械剥离HOPG获得石墨烯通道层；(4)制备过渡层利用蒸镀系统，在石墨烯表面上蒸镀一层超薄的金属薄膜；(5)沉积栅介质层采用ALD淀积栅介质层，(6)制备源极和漏极将具有栅介质/石墨烯叠层结构的衬底的中间保护起来，两端从表面开始进行刻蚀，直到刻蚀至衬底，在两端的刻蚀处分别形成源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积法沉积栅介质，包括以下步骤：(1)清洗衬底：依次分别采用丙酮、甲醇、异丙醇清洗衬底各5分钟，去除表面的油污，并烘干待用；(2)在基板上制备衬底绝缘材料：采用PECVD方法沉积薄膜SiO2；(3)制备石墨烯通道层：采用Sol‑Gel旋涂法在绝缘材料上旋涂石墨烯溶液，再通过机械剥离HOPG获得石墨烯通道层；(4)制备过渡层：利用蒸镀系统，在石墨烯表面上蒸镀一层超薄的金属薄膜作为过渡层用于后续的原子层淀积栅介质工艺；(5)沉积栅介质层：采用ALD淀积栅介质层，通过调节沉积工艺的脉冲时间，淀积温度，以及前驱体的选择，制备栅介质/石墨烯叠层结构；(6)制备源极和漏极：将具有栅介质/石墨烯叠层结构的衬底的中间保护起来，两端从栅介质/石墨烯叠层结构表面开始进行刻蚀，直到刻蚀至衬底，在两端的刻蚀处分别形成源极和漏极。
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