[发明专利]一种通用的监测离子束流分布的方法在审
| 申请号： | 201710618833.8 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309023A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 田龙 | 申请（专利权）人： | 北京中科信电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通用的监测离子束流分布的方法，这种方法通过一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5)通过信息整合，实现监测离子束流形状及分布的功能。本方法可以监测离子束流的分布及状态变化，提高束流检测的实时性及可观性；且实现一个束流采集电路对多个小法拉第杯(6)的束流采集，大大简化了采集转换电路。本发明涉及离子注入装置，隶属于半导体制造领域。 | ||
| 搜索关键词： | 束流 监测离子 法拉第杯 离子束流 控制器 通用的 半导体制造领域 采集转换电路 离子注入装置 采集 采集电路 电压信号 控制电路 控制通道 束流形状 通道选择 信息整合 选择电路 状态变化 法拉第 可观性 实时性 二维 选通 检测 转换 | ||
【主权项】：
1.一种通用的监测离子束流分布的方法，其特征在于：利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流，通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通，I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集，控制器(5)通过信息整合，实现监测离子束流分布的功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
