[发明专利]用于脉冲式光激发沉积与蚀刻的装置与方法在审
申请号: | 201710619095.9 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN107578983A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·莫法特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18;C23C16/56;C23C16/48;C23C16/46;C23C16/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式提供在处理腔室内处理基板的方法。在一个实施方式中,方法包含提供前驱物气体混合物至处理腔室内,前驱物气体混合物包含沉积前驱物气体和蚀刻前驱物气体、使前驱物气体混合物受到出自热源的热能作用,以在基板的表面上沉积材料层,其中热能小于蚀刻前驱物气体热解所需的最小值,及在材料层形成在基板的表面上后,使前驱物气体混合物受到出自辐射源的光能作用,光能的波长和功率水平经选择以促进蚀刻前驱物气体比沉积前驱物气体更易光解解离,及自基板表面蚀刻部分材料层。 | ||
搜索关键词: | 用于 脉冲 激发 沉积 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理系统,包括:处理腔室,所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的基板支撑件;耦接至所述处理腔室的气体供应器,其中所述气体供应器可操作以从一或多个气源供应前驱物气体混合物至所述处理腔室内,所述前驱物气体混合物包含沉积前驱物气体和蚀刻前驱物气体;加热模块,所述加热模块设置在所述基板支撑件上方,其中所述加热模块可操作以在所述处理腔室中将热能耦合至所述前驱物气体混合物,所述热能足以实质热分解所述沉积前驱物气体,并且所述热能低于所述前驱物气体混合物中的所述蚀刻前驱物气体热解所需的最小能量;以及激光源,所述激光源可操作以发射激光能量至所述前驱物气体混合物,所述激光能量和所述热能一起导致所述蚀刻前驱物气体的光解解离比所述沉积前驱物气体的分解更快发生,以在所述基板的表面上沉积材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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