[发明专利]一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710619744.5 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107513685B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 虞澜;胡建力;宋世金;康冶;刘安安;黄杰 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法，属于功能薄膜材料技术领域。本发明两步法制备立方相Sr3YCo4O10.5+δ薄膜，首先制备Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材，然后利用脉冲激光在单晶衬底上沉积Sr3YCo4O10.5+δ薄膜，在氧压条件下进行原位退火得到立方相结构的Sr3YCo4O10.5+δ薄膜。本发明方法简单易行，制备出的立方相Sr3YCo4O10.5+δ薄膜，便于研究Sr3YCo4O10.5+δ薄膜的激光感生横向热电效应反映其各向异性的本征性能及磁性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 立方相 氧化物薄膜 功能薄膜材料 立方相结构 本征性能 多晶陶瓷 脉冲激光 热电效应 原位退火 两步法 靶材 衬底 单晶 感生 氧压 沉积 激光 研究 | ||
【主权项】：
1.一种立方相Co基氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤为：（1）制备Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材：按照化学式Sr3YCo4O10.5+δ的化学计量比将SrCO3粉末、Y2O3粉末、Co3O4粉末混合均匀，研磨并压制成型，然后置于温度为950~1180℃的条件下进行一次烧结15~24h，冷却，研磨并压制成型，再置于温度为950~1180℃的条件下进行二次烧结15~24h，冷却得到Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材；（2）清洗衬底：依次用丙酮、无水乙醇清洗平衬底，重复2~3次即得清洗后的平衬底；（3）将步骤（1）所得Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材装入脉冲激光沉积的旋转靶位，将步骤（2）所得清洗后的平衬底置于可加热的硅板上，平衬底与Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材相向放置且相距4~5cm，抽真空至真空度为1×10‑4~1×10‑3Pa，匀速升温至衬底温度为760~790℃，在激光波长为248nm、激光频率为4~6Hz、激光能量100~200mJ、Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材自转速度为20~30r/min、镀膜腔内通入氧气至氧压100~150Pa的条件下进行激光烧蚀Sr3YCo4O10.5+δ多晶陶瓷靶材10~20min得到Sr3YCo4O10.5+δ薄膜；（4）在氧气压为1×103~1×104Pa、温度为760~790℃的条件下，将步骤（3）所得Sr3YCo4O10.5+δ薄膜进行原位退火处理10~20 min即得立方相Co基氧化物薄膜。
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